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SJ 2214.4-1982

废止

中文名称：半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法

英文名称： Method of measurement for reverse break-down voltage of semiconductor photodiodes

发布日期 : 1982-11-30

废止日期 : 无

实施日期 : 1983-07-01

页数 : 1页

中国标准分类 : L54 半导体光敏器件

国际标准分类 : 31.260 光电子学、激光设备

适用范围 :

本标准适用于光敏二极管反向击穿电压V(BR)的测试。

引用了下列标准

采用了下列标准

代替了下列标准

被下列标准代替

SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

被下列标准采用

被下列标准引用

SJ 50033/111-1996 半导体光电子器件 GT16型硅 NPN光电晶体管详细规范

标准来源

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